講座內(nèi)容：納米粒子點(diǎn)陣的光、電、磁特性質(zhì)與點(diǎn)陣中納米粒子的面間距密切相關(guān)。當(dāng)納米粒子的面間距足夠小，電子可以通過隧道穿透或熱激活跳躍機(jī)制實(shí)現(xiàn)輸運(yùn)，產(chǎn)生電導(dǎo)。納米粒子點(diǎn)陣的量子電導(dǎo)與納米粒子的面間距靈敏地相關(guān)。我們通過精細(xì)調(diào)控團(tuán)簇束流沉積過程，實(shí)現(xiàn)在1nm量級(jí)控制納米粒子點(diǎn)陣中的面間距，并進(jìn)而對(duì)納米粒子點(diǎn)陣中的電子輸運(yùn)進(jìn)行調(diào)控。我們研究了點(diǎn)陣在不同溫度及納米粒子覆蓋率下的電子輸運(yùn)特征，并將其用于高靈敏度、寬量程、低功耗的氫氣傳感器和應(yīng)變傳感器的開發(fā)。金屬納米粒子在可見光激發(fā)下，可發(fā)生表面等離激元共振，導(dǎo)致入射光的電磁能量被集中于納米粒子表面附近，形成巨大增強(qiáng)的局域場(chǎng)。納米粒子面間距不僅可用以調(diào)控點(diǎn)陣的量子電導(dǎo)，而且可用于通過近場(chǎng)耦合調(diào)控點(diǎn)陣的表面等離激元共振和局域場(chǎng)增強(qiáng)。我們的研究還表明，表面等離激元的局域場(chǎng)對(duì)納米粒子點(diǎn)陣中的電子輸運(yùn)也具有重要的影響。